Name: Vishay Siliconix SI2311DS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2311DS-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI2311DS-T1-E3

Artikelnummer:

SI2311DS-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 8V 3A SOT23-3

Datenblätte:

1.SI2311DS-T1-E3.pdf ···: Umweltinformationen
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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI2311DS-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI2311DS-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	800mV @ 250µA
Vgs (Max)	±8V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 3.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)	710mW (Ta)
Verpackung / Gehäuse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	970 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 4.5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	8 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	3A (Ta)
Grundproduktnummer	SI2311
SI2311DS-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI2311DS-T1-E3 PDF - EN.pdf

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